IBSP3036是一款能提供200mA输出电流，具备可调宽输出电压（1.2V至Vin-Vdrop），230mV@200mA低压差高性能的线性稳压器件，旨在满足射频和高性能模拟电路的应用需求。其具备低噪声、高PSRR、低静态电流和较好的负载/线路瞬态响应特点。在电流过载、输出短路和过热情况下，触发相应保护机制，非常适用于以电池为供电系统的设备中。
其静态工作电流典型值为0.3mA，关断模式下小于1μA，非常适用于对噪声敏感和低功耗的场景。
实际应用中，IBSP3036输出端仅需一颗2.2μF陶瓷电容即可提供超低的噪声性能和良好的电路稳定性。内置多种保护电路，包括过流、过热限制等。
IBSP3036支持1mm*1mm DFN4、SOT23-5封装，工作温度范围-40℃~+125℃。
应用范围
---RF电源：PLL、VCO、混频器、低噪声放大器
---超低噪声仪表
---高速/高精度数据转换器
---医疗应用：成像、诊断
---高精度电源
特性
超低RMS噪声（典型值）：3μVrms（10Hz至100KHz）
超低噪声密度（典型值）：6nV/ÖHz（10kHz）
超高PSRR（典型值）
100dB@100Hz
95dB@1KHz
85dB@10KHz
60dB@100KHz
40dB@1MHz
额定输出电流：200mA
宽输入电压范围：2.2V至12V
单个电容器改善噪声和PSRR
高带宽：1MHz
压差：230mV@200mA
高精度使能/UVLO
具有过流保护功能
通过外部电阻配置输出电压
输出电流限制
IC内部的输出电流限制为300 mA（典型值），该电流量通过标称 VOUT 的 90% 上的压降测量。如果输出电压直接短路至地（VOUT = 0 V），短路保护会将输出电流限制为300mA（典型值）。电流限制和短路保护将在推荐工作温度和输入电压范围内发挥作用。
热关断
当芯片温度超过热关断阈值（TSD 150℃典型值）时，将触发关断事件并禁用器件。IC将保持此状态，直到芯片温度降至热关断复位阈值以下（TSDU 130℃典型值）。若IC温度降至130℃以下，LDO将再次使能。
| 型号 | Vin范围 | Vout范围 | 负载电流(Max) | RMS Noise | PSRR | Vdrop | lq | 封装 |
| BSP3030、IBSP3031 | 2.4~20V | 0.5~16V | 200mA | 1.4μVrms | 120dBc | 0.35V | 2.3mA | DFN-10、MSOP-10 |
| IBSP3032 | 2.7~20V | 1.2~Vin-Vdrop | 300mA | 10μVrms | 91dBc | 0.2V | 40μA | SOIC-8、DFN6、SOT23-5 |
| IBSP3013 | 3.0~40V | 1.2~Vin-Vdrop | 300mA | 40μVrms | 100dBc | 0.5V | 5μA | MSOP-8EP、SOT223-4 |
| IBSP3012 | 4.0~40V | 1.2~Vin-Vdrop | 150mA | 40μVrms | 100dBc | 0.2V | 6μA | MSOP-8EP、SOT223-4 |
| IBSP3011 | 2.6~40V | 1.2~Vin-Vdrop | 200mA | 11μVrms | 88dBc | 0.3V | 48μA | SOIC-8 |
| IBSP3021 | 2.3~16V | 1.2~Vin-Vdrop | 800mA | 200μVrms | 65dBc | 0.65V | 6mA | SOIC-8EP |
| IBSP3036 | 2.2~12V | 1.2~11V | 200mA | 3μVrms | 100dBc | 0.17V | 300μA | DFN4、SOT23-5 |
| IBSP3052 | 1.7~5.5V | 0.6~5V | 2000mA | 4.3μVrms | 80dBc | 0.11V | 1.3mA | TDFN-14 |
| BSP3053 | 1.0~6.5V | 0.6~5V | 3000mA | 4.3μVrms | 55dBc | 0.15V | 1.5mA | QFN-20 |
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